- 白光LED用荧光粉的合成与性能研究
- 孔丽
- 2625字
- 2020-08-27 22:09:29
1.2 白光LED的基本原理和结构
1.2.1 LED的基本原理
LED顾名思义,是一种具有二极管电子特性的能发光的半导体组件。发光二极管的基本结构如图1-1所示。
图1-1 发光二极管的基本结构示意图
发光二极管是结构型发光器件,其核心部分为LED的芯片。商品发光二极管一般用环氧树脂封帽外壳,芯片的直径一般为200~350 µm,主要结构是p-n结结构,包含n型层和p型层,并在p面和n面上分别制作电极。n型层和p型层分别提供发光所需的电子和空穴,它们在发光层复合发光。发光层一般选取比p型层和n型层禁带宽度更窄的材料,这样p型层和n型层就能起到势垒作用,将更多的电子和空穴限制在发光层,增加复合发光的概率。同时,由于n型层和p型层的禁带宽度越大,发光层所发出的光越容易通过,能减少对所发出光的吸收。为了提高LED的发光效率,人们设计了不同的发光层结构,如单量子阱、多量子阱、异质结构等,以增加复合发光的效率。
图1-2(a)表示在热平衡状态下p-n结的能带图。其中V表示价带,EF表示费米能级,D表示施主能级,A表示受主能级,Eg表示禁带宽度。在n区导带上,实心点表示自由电子。在p区价带上,空心点表示自由空穴。在n区导带底附近有浅施主能级D,由于施主电离,向导带提供大量的空穴。因此,在n区中多数载流子是电子。同样,在p区,浅受主能级A电离,向导带提供大量空穴。p区的多数载流子是空穴。在热平衡时,n区和p区的费米能级是一致的。图1-2(b)表示在p-n结上加正向电压(即电池的负极接到n区,正极连接到p区)时,p-n结势垒降低,结果出现了n区的电子注入到p区,p区的空穴注入到n区的非平衡状态。被注入的电子和空穴成为非平衡载流子(又称少数载流子)。在p-n结附近,当非平衡载流子和多数载流子复合时,便把多余的能量以光的形式释放出来,这就可观察到p-n结发光。这种发光也称为注入发光。此外,一些电子被俘获到无辐射复合中心,能量以热能形式散发,这个过程被称为无辐射过程。为提高发光效率,应尽量减少与无辐射中心有关的缺陷和杂质浓度,减少无辐射过程。实际情况下,不同材料制备的发光二极管的芯片结构有所不同,发光情况也各异,而基本原理相似[12-16]。
图1-2 发光二极管的发光原理简图
半导体依据所选用的材料不同,电子和空穴所占据的能级也不同,则复合所产生的光子能量不同,也就可获得不同的光谱和颜色。因此,欲决定LED所发出光的颜色,可通过选择具有特定结构的材料来实现。
1.2.2 白光LED的制作方案
目前实现白光LED的制作方案有很多种,但总体上主要有如下三条途径[17-26]。
(1)红、绿、蓝三色LED
该方案是将红色LED、绿色LED和蓝色LED芯片或发光管组成一个像素(pixel)实现白光。从目前报道的最佳数据来看,各种颜色LED的发光效率分别为:蓝光LED为30 lm/W;绿光LED为43 lm/W;红光LED为100 lm/W,组成白光后的平均效率大于80 lm/W,而显色性可达90以上。此种白光LED的最大优势是,只要配合适当的控制器个别操控各色LED,很容易让使用者随意调整出所需要的颜色,这是其他光源无法做到的。
因红、绿、蓝三色LED组合的色纯度很高,逐渐受到大型LCD、TV背光源需求的重视,各国相继开发基于LED的背光源,此背光源拥有CCFL无法达到的优异性能和新功能。预计其随LCD、TV进入家庭的潜力极大。
此种组合方式的缺点是生产成本较高,由于三种颜色的LED量子效率不同,而且随着温度和驱动电流的变化不一致,随时间的衰减速度也各不相同,红、绿、蓝LED 的衰减速率依次上升。因此,为了保持颜色的稳定,需要对三种颜色分别加反馈电路进行补偿,导致电路复杂,而且会造成效率损失。
(2)蓝光LED +能被蓝光LED有效激发的黄色荧光粉
该方案的白光LED是由蓝光LED芯片和可被蓝光有效激发的发黄光的荧光粉组合而成的,其中蓝光LED的一部分蓝光被荧光粉吸收,激发荧光粉发射黄光,而剩余的蓝光与黄光混合,调控它们的强度比,即可得到各种室温的白光。
图1-3给出了白光LED的结构示意图。InGaN LED基片安装在导线上的杯形座中,荧光粉YAG:Ce涂在基片上,荧光粉层约为100 µm厚,白光是由LED基片发出的蓝光和荧光粉发出的黄色荧光混合而成的,用环氧树脂将LED基片和荧光粉封装成光学透镜的形状。从LED基片发出的蓝光在荧光粉层中多次反射并被荧光粉部分吸收,荧光粉被蓝光激发并发出黄色荧光。白光是由上述蓝光和黄光混合而成的,根据颜色的相加原理,这种混合光给人眼的感觉为白光,并通过环氧树脂封装,透镜聚焦,均匀发射。
图1-3 白光LED的结构示意图
E—LED芯片发蓝光;F—YAG荧光粉发黄光
此种组合方式是目前最常用的白光LED的制作方式,大部分白光LED都以此种方式制成,其优点是制作简单,在所有白光LED的组合方式中成本较低而效率较高。目前,实验室的白光LED的光效已突破100 lm/W,与日光灯的发光效率属同一水准,而一般白光LED商品的发光效率在30~50 lm/W,为传统灯泡的2~3倍。这种白光LED的效率指标同时受蓝光LED和荧光粉两者性能的影响。
(3)紫外LED+能被紫外LED有效激发的荧光粉
该技术方案的白光LED是由紫外LED(简称UVLED)与多种可被UVLED有效激发的荧光粉组合而成。其原理是采用高亮度的紫外LED泵浦红、绿、蓝三色荧光粉,产生红、绿、蓝三基色,通过调整三色荧光粉的配比可以形成白光。
由于紫外线光子的能量较蓝光高,可激发的荧光粉选择性增加,绝大多数荧光粉的效率随激发光源波长的缩短而增加,尤其是红色荧光粉。这种封装方式和蓝光LED与黄色荧光粉的组合完全相同,成本相同,但因为所有白光都来自于荧光粉本身,紫外光本身未参与混光,因此颜色的控制较蓝光LED容易得多,色彩均匀度极佳,显色性根据所混合的荧光粉数量和种类而定,通常控制在90左右。
目前此种组合的白光LED最大的问题在于效率相对偏低,主要原因在于所使用的紫外LED效率偏低。许多研究结果表明,GaN基LED的效率随波长变化而变化,在400nm时效率达到最大值,低于400nm后急剧下降;此外,激发和发射的两个光子的能量差为自然能量损失,由于紫外光转换为红光时,其能量损失比从蓝光转换高10%~20%,这也会影响整体效率。目前这种白光LED商品比较少,所使用的近紫外LED在380~400nm左右,其最终效率只有第二种方案组成的白光LED的一半。
由以上知,由蓝光LED芯片和可被蓝光有效激发的发黄光的荧光粉组合的白光LED的途径是常用的,可以通过掺杂稀土离子来改善荧光粉的发光性能。另外,为了提高发光效率以及显色指数,LED的发射波长向短波方向移动是目前发展的趋势,因此可被UVLED和n-UVLED有效激发的荧光粉引起了人们的广泛兴趣。作为化学工作者,我们的目标就是在荧光粉方面有所突破,研究工作将从两个方面展开,一方面是改善现有荧光粉,另一方面是制备出性能更加优异的新型荧光粉。