2-42 N沟道增强型绝缘栅型场效应晶体管在结构上有何特点？

图2-35a所示为N沟道增强型绝缘栅型场效应晶体管的结构示意图。它以一块掺杂浓度较低、电阻率较高的P型硅片做衬底，其上扩散两个相距很近的高掺杂浓度的N⁺区，并引出两个电极，分别称为源极S和漏极D。P型硅片的表面生成一层很薄的二氧化硅绝缘层，在源极和漏极之间的绝缘层上制作一个金属电极，称为栅极G。栅极和其他电极是绝缘的，故称为绝缘栅型场效应晶体管，或称金属-氧化物-半导体场效应晶体管，简称MOSFET。由于栅极是绝缘的，故栅极电流几乎为零，栅源电阻R_GS很高，最高可达10¹⁴Ω。

图2-35b所示为N沟道增强型绝缘栅型场效应晶体管的图形符号。箭头方向表示电流由漏极D流向源极S的实际方向。