2-46 什么是V-MOS功率场效应晶体管？

V-MOS功率场效应晶体管简称功率场效应晶体管，其结构如图2-39所示。它是利用硅片的各向异性腐蚀原理，在硅片上刻蚀出一定宽度、深度和长度的V形槽，然后把器件制作在槽的两壁上，图2-39所示为N沟道增强型场效应晶体管剖面图。

其中D为漏极，S为源极，G为栅极。当D极接正电位，S接地，G接地或负电位时，由于PN结X_JB反向偏置，故D、S极间没有电流通过；当G极加上正电位时，由于电荷感应，在P区感应出电子，电子的积累形成N沟道。N沟道连通N⁺和N-区，S、D之间便产生了电流。因此，栅极G上的电压高低决定了源极S与漏极D之间的电流大小。若在其栅-源极之间加上交变信号电压U_Y，那么在D-S极之间就可得到完全随信号电压变化而变化的信号电流I_D。通常I_D值为几至几十A，输出电压幅度是输入电压幅度的几百倍到数千倍，而且它们的变化规律一致，从而达到电压放大的目的。