1.1.3 工艺一体化

以CMOS为中心的LSI/VLSI制造基本技术，通常可以分为器件隔离、衬底与阱、栅与源漏结的形成、接触形成与多层布线，以及双极与BiCMOS等。通过分别开发各工艺步骤，并将它们组合，能够制造出所希望的新的LSI/VLSI。在下面各节中将深入讨论这些制造基本技术。