1.3 衬底与阱技术

为了在同一硅衬底上形成既有 N型又有 P型两种 MOS结构（CMOS），就需要制作阱（Well），把阱工艺最优化称为阱技术，它可以改善器件的抗辐射和抗闩锁性能。阱技术中，除了通常的扩散阱，还有采用高能离子注入形成的逆向阱（深部的杂质浓度高的阱，与此相反的通常注入的扩散阱称为正向阱）。本节还要介绍外延衬底，这也是阱技术中的一个重要问题。