1.5.1 接触的形成

在膜厚约1μm的层间绝缘膜上，利用湿法/干法或干法刻蚀形成接触孔，用溅射方法淀积厚度约1μm的接触金属，然后使接触金属图形化。形成接触图形后，在400～500℃温度退火20～30min，使接触部分合金化。

接触金属一般采用掺有1%～2%硅的铝合金（AlSi）。之所以采用含硅的铝合金，是因为预先使铝中的硅浓度达到饱和，在合金化过程中不仅能够防止硅从衬底向铝中扩散，也可以防止由于铝向衬底扩散形成楔形尖峰。这种合金化工艺也能够起到减轻由于等离子体损伤等形成的表面态的效果。除了铝硅合金，还有铝硅铜（AlSiCu）及铝铜（AlCu）等。