1.7 LV/HV兼容技术

随着微电子技术的发展和对高可靠性的要求，需要低压控制逻辑和高压输出兼容集成电路，于是出现了各种低压与高压兼容MOS工艺。为了便于高低压兼容MOS器件集成，通常采用具有漂移区的偏置栅结构的HV MOS器件和源双扩散（异型）LDMOS、VDMOS器件。

在高低压兼容集成电路中，输出级往往是高压器件结构。在器件结构方面，随着电压高低和导通阻抗等主要性能参数的要求和集成电路应用范围的不断扩大，出现了各种高压器件结构，按照应用范围和对器件性能参数的要求，可选择不同的器件结构，如偏置栅的 MOS器件、源双扩散（异型）LDMOS、VDMOS器件等。