2.3 P-Well CMOS（C）

电路采用1.2μm设计规则，使用P-Well CMOS（C）制造技术。该电路典型元器件、制造技术及主要参数如表2-3所示。它以P-Well CMOS（A）制程及所制得的各种元器件为基础，并对其芯片结构和制造工艺进行改变，最终在硅衬底上形成CMOS IC中的各种元器件，并使之互连，实现所设计电路。如果制程完成后得到的各种工艺参数和电学参数都符合所设计电路的要求，则芯片功能和电气性能都能达到设计指标。

表2-3 工艺技术和芯片中主要元器件

（续表）

*表中参数：Poly2薄层电阻为R_SN-Poly2，其他参数符号与前面各表相同。