2.4 HV P-Well CMOS

电路采用≥5μm设计规则，使用HV P-Well CMOS制造技术。该电路典型元器件、制造技术及主要参数如表2-4所示。它以P-Well CMOS（A）制程及所制得的各种元器件为基础，并对其芯片结构和制造工艺进行改变，最终在硅衬底上形成HV CMOS IC中的各种元器件，并使之互连，实现所设计电路。如果制程完成后得到的各种参数都达到规范值，则芯片性能达到设计指标。

表2-4 工艺技术和芯片中主要元器件

（续表）

*表中参数符号与前面各表相同。