本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术，概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9章：功率半导体器件基础，SiC MOSFET参数的解读、测试及应用，双脉冲测试技术，SiC器件与Si器件特性对比，高di/dt的影响与应对——关断电压过冲，高dv/dt的影响与应对——crosstalk，高dv/dt的影响与应对——共模电流，共源极电感的影响与应对，以及驱动电路设计。

本书面向电力电子、新能源技术和功率半导体器件等领域的广大工程技术人员和科研工作者，可满足从事器件设计、封装、测试、应用专业人员的知识和技术需求。

图书在版编目（CIP）数据

碳化硅功率器件：特性、测试和应用技术/高远，陈桥梁编著.—北京：机械工业出版社，2021.6（2021.10重印）

（电力电子新技术系列图书）

ISBN 978-7-111-68175-5

Ⅰ.①碳…　Ⅱ.①高…②陈…　Ⅲ.①功率半导体器件　Ⅳ.①TN303

中国版本图书馆CIP数据核字（2021）第084660号

机械工业出版社（北京市百万庄大街22号　邮政编码 100037）

策划编辑：罗　莉　责任编辑：罗　莉

责任校对：郑　婕　封面设计：马精明

责任印制：张　博

中教科（保定）印刷股份有限公司印刷

2021年10月第1版第2次印刷

169mm×239mm·20.5印张·419千字

1901—3800册

标准书号：ISBN 978-7-111-68175-5

定价：99.00元

电话服务

客服电话：010-88361066

010-88379833

010-68326294

网络服务

机　工　官　网：www.cmpbook.com

机　工　官　博：weibo.com/cmp1952

金　　书　　网：www.golden-book.com

机工教育服务网：www.cmpedu.com

封底无防伪标均为盗版