现代集成电路制造技术原理与实践

附录B 现代集成电路制造技术缩略语

附录A 集成电路制造技术专业术语大全

本章参考文献

习题

本章小结

18.3 Synopsys 可制造性设计解决方案[10]

18.2 提高可制造性良品率的OPC技术

18.1 纳米级IC可制造性设计理念

第18章 可制造性设计理念

本章参考文献

习题

本章小结

17.3 新一代集成电路虚拟制造系统 Sentaurus Workbench

17.2 新一代器件物理特性级仿真工具Sentaurus Device

17.1 新一代集成工艺仿真系统Sentaurus Process

第17章 可制造性设计工具

本章参考文献

习题

本章小结

16.5 集成电路芯片产业的质量管理

16.4 集成电路芯片产业的技术管理模式[14][15][16]

16.3 集成电路芯片产业的生产管理模式[11][12][13]

16.2 质量管理理论基础

16.1 引言

第16章 芯片产业质量管理

本章参考文献

习题

本章小结

15.5 超深亚微米CMOS工艺技术模块简介

15.4 典型的超深亚微米CMOS制造工艺

15.3 超深亚微米层次下的小尺寸效应

15.2 当代超深亚微米级层次的技术特征

15.1 当代微电子技术的飞速发展与技术进步

第15章 超大规模集成工艺

本章参考文献

习题

本章小结

14.6 集成电路性能的可靠性保证

14.5 辐射效应对硅集成电路性能的影响

14.4 高能粒子辐射造成的失效行为

14.3 关于金属化系统的失效

14.2 集成电路常见的失效模式及失效机理[1][2][3]

14.1 半导体器件的可靠性及其所包括的内容

第14章 管芯失效及可靠性

本章参考文献

习题

本章小结

13.2 IC生产中常用的理化分析仪器

13.1 集成电路生产过程中进行理化分析的目的

第13章 工艺过程理化分析

本章参考文献

习题

本章小结

12.6 集成电路动态参数测试简述

12.5 集成电路静态参数测试简述

12.4 各种测试规范之间的关系

12.3 集成电路的测试方式和测试规范

12.2 集成电路的电性能测试

12.1 集成电路测试的种类和应用简介

第12章 集成电路性能测试

本章参考文献

习题

本章小结

11.4 集成电路管芯的外封装技术

11.3 集成电路管芯内引线键合工艺

11.2 集成电路晶圆管芯的装片技术

11.1 集成电路晶圆芯片的减薄及划片技术

第11章 电路管芯键合封装

本章参考文献

习题

本章小结

10.4 微电子测试图形在集成电路工艺流片监控中的应用

10.3 常用的微电子测试结构及其测试原理

10.2 微电子测试图形的配置及作用

10.1 引言

第10章 集成结构测试图形

本章参考文献

习题

本章小结

9.4 集成电路制造平面工艺二维仿真系统TSUPREM-4[6][7]

9.3 集成电路制造平面工艺一维仿真系统SUPREM-2

9.2 集成电路工艺仿真系统简介

9.1 引言

第9章 集成电路工艺仿真[1][2][3][4][5]

本章参考文献

习题

本章小结

8.3 当代计算机辅助掩模制造技术

8.2 光刻掩模版设计和制备的基本过程

8.1 集成电路掩模版制备简述[1][2][3][4]

第8章 掩模制备工艺原理

本章参考文献

习题

本章小结

7.3 典型的光刻工艺原理

7.2 关于光致抗蚀剂

7.1 引言

第7章 图形光刻工艺原理

本章参考文献

习题

本章小结

6.3 化学气相淀积的安全性[15][16][17][18]

6.2 晶圆CVD加工需求最多的几种介质薄膜

6.1 常用的几种化学气相淀积方法[1][2][3][4]

第6章 薄膜气相淀积工艺

本章参考文献

习题

本章小结

5.6 离子注入的工艺实现

5.5 离子注入设备

5.4 离子注入退火

5.3 离子注入损伤

5.2 关于离子注入技术的理论描述

5.1 离子注入掺杂技术的特点

第5章 离子注入低温掺杂

本章参考文献

习题

本章小结

4.6 深亚微米工艺仿真系统所设置的小尺寸效应模型

4.5 扩散行为的仿真及影响扩散行为的效应

4.4 实际扩散行为与理论分布的差异

4.3 常规热扩散工艺简介

4.2 常规高温热扩散的数学描述[10][11]

4.1 固体中的热扩散现象及扩散方程

第4章 半导体的高温掺杂

本章参考文献

习题

本章小结

3.5 典型热生长氧化介质膜的常规生长模式

3.4 氧化硅介质膜的热生长动力学原理

3.3 氧化硅介质膜影响杂质迁移行为的内在机理

3.2 二氧化硅介质膜的主要性质

3.1 氧化硅介质膜的基本结构

第3章 氧化介质薄膜生长

本章参考文献

习题

本章小结

2.6 发生在硅气相外延生长过程中的二级效应[21]

2.5 关于气相外延生长的工艺环境和工艺条件[13][14][15]

2.4 常规硅气相外延生长过程的结晶学原理

2.3 常规硅气相外延生长过程的动力学原理[10][11]

2.2 外延生长工艺方法概论

2.1 关于外延生长技术

第2章 外延生长工艺原理

本章参考文献

习题

本章小结

1.8 硅单晶的各向异性特征在管芯制造中的应用

1.7 直拉法生长硅单晶

1.6 半导体硅材料的提纯技术

1.5 关于半导体硅材料及硅衬底晶片的制备

1.4 集成电路技术的发展和硅材料的关系

1.3 半导体单晶制备过程中的晶体缺陷[4][5]

1.2 半导体材料硅的结构特征

1.1 半导体材料的特征与属性

第1章 硅材料及衬底制备

习题

本章小结

绪论

序言

前言

版权信息

封面

封面

版权信息

前言

序言

绪论

本章小结

习题

第1章 硅材料及衬底制备

1.1 半导体材料的特征与属性

1.2 半导体材料硅的结构特征

1.3 半导体单晶制备过程中的晶体缺陷[4][5]

1.4 集成电路技术的发展和硅材料的关系

1.5 关于半导体硅材料及硅衬底晶片的制备

1.6 半导体硅材料的提纯技术

1.7 直拉法生长硅单晶

1.8 硅单晶的各向异性特征在管芯制造中的应用

本章小结

习题

本章参考文献

第2章 外延生长工艺原理

2.1 关于外延生长技术

2.2 外延生长工艺方法概论

2.3 常规硅气相外延生长过程的动力学原理[10][11]

2.4 常规硅气相外延生长过程的结晶学原理

2.5 关于气相外延生长的工艺环境和工艺条件[13][14][15]

2.6 发生在硅气相外延生长过程中的二级效应[21]

本章小结

习题

本章参考文献

第3章 氧化介质薄膜生长

3.1 氧化硅介质膜的基本结构

3.2 二氧化硅介质膜的主要性质

3.3 氧化硅介质膜影响杂质迁移行为的内在机理

3.4 氧化硅介质膜的热生长动力学原理

3.5 典型热生长氧化介质膜的常规生长模式

本章小结

习题

本章参考文献

第4章 半导体的高温掺杂

4.1 固体中的热扩散现象及扩散方程

4.2 常规高温热扩散的数学描述[10][11]

4.3 常规热扩散工艺简介

4.4 实际扩散行为与理论分布的差异

4.5 扩散行为的仿真及影响扩散行为的效应

4.6 深亚微米工艺仿真系统所设置的小尺寸效应模型

本章小结

习题

本章参考文献

第5章 离子注入低温掺杂

5.1 离子注入掺杂技术的特点

5.2 关于离子注入技术的理论描述

5.3 离子注入损伤

5.4 离子注入退火

5.5 离子注入设备

5.6 离子注入的工艺实现

本章小结

习题

本章参考文献

第6章 薄膜气相淀积工艺

6.1 常用的几种化学气相淀积方法[1][2][3][4]

6.2 晶圆CVD加工需求最多的几种介质薄膜

6.3 化学气相淀积的安全性[15][16][17][18]

本章小结

习题

本章参考文献

第7章 图形光刻工艺原理

7.1 引言

7.2 关于光致抗蚀剂

7.3 典型的光刻工艺原理

本章小结

习题

本章参考文献

第8章 掩模制备工艺原理

8.1 集成电路掩模版制备简述[1][2][3][4]

8.2 光刻掩模版设计和制备的基本过程

8.3 当代计算机辅助掩模制造技术

本章小结

习题

本章参考文献

第9章 集成电路工艺仿真[1][2][3][4][5]

9.1 引言

9.2 集成电路工艺仿真系统简介

9.3 集成电路制造平面工艺一维仿真系统SUPREM-2

9.4 集成电路制造平面工艺二维仿真系统TSUPREM-4[6][7]

本章小结

习题

本章参考文献

第10章 集成结构测试图形

10.1 引言

10.2 微电子测试图形的配置及作用

10.3 常用的微电子测试结构及其测试原理

10.4 微电子测试图形在集成电路工艺流片监控中的应用

本章小结

习题

本章参考文献

第11章 电路管芯键合封装

11.1 集成电路晶圆芯片的减薄及划片技术

11.2 集成电路晶圆管芯的装片技术

11.3 集成电路管芯内引线键合工艺

11.4 集成电路管芯的外封装技术

本章小结

习题

本章参考文献

第12章 集成电路性能测试

12.1 集成电路测试的种类和应用简介

12.2 集成电路的电性能测试

12.3 集成电路的测试方式和测试规范

12.4 各种测试规范之间的关系

12.5 集成电路静态参数测试简述

12.6 集成电路动态参数测试简述

本章小结

习题

本章参考文献

第13章 工艺过程理化分析

13.1 集成电路生产过程中进行理化分析的目的

13.2 IC生产中常用的理化分析仪器

本章小结

习题

本章参考文献

第14章 管芯失效及可靠性

14.1 半导体器件的可靠性及其所包括的内容

14.2 集成电路常见的失效模式及失效机理[1][2][3]

14.3 关于金属化系统的失效

14.4 高能粒子辐射造成的失效行为

14.5 辐射效应对硅集成电路性能的影响

14.6 集成电路性能的可靠性保证

本章小结

习题

本章参考文献

第15章 超大规模集成工艺

15.1 当代微电子技术的飞速发展与技术进步

15.2 当代超深亚微米级层次的技术特征

15.3 超深亚微米层次下的小尺寸效应

15.4 典型的超深亚微米CMOS制造工艺

15.5 超深亚微米CMOS工艺技术模块简介

本章小结

习题

本章参考文献

第16章 芯片产业质量管理

16.1 引言

16.2 质量管理理论基础

16.3 集成电路芯片产业的生产管理模式[11][12][13]

16.4 集成电路芯片产业的技术管理模式[14][15][16]

16.5 集成电路芯片产业的质量管理

本章小结

习题

本章参考文献

第17章 可制造性设计工具

17.1 新一代集成工艺仿真系统Sentaurus Process

17.2 新一代器件物理特性级仿真工具Sentaurus Device

17.3 新一代集成电路虚拟制造系统 Sentaurus Workbench

本章小结

习题

本章参考文献

第18章 可制造性设计理念

18.1 纳米级IC可制造性设计理念

18.2 提高可制造性良品率的OPC技术

18.3 Synopsys 可制造性设计解决方案[10]

本章小结

习题

本章参考文献

附录A 集成电路制造技术专业术语大全

附录B 现代集成电路制造技术缩略语