三维集成电路制造技术

8.3.3 基板扇出技术

8.3.2 基板埋入技术

8.3.1 细线路基板技术

8.3 基板及埋入封装技术

8.2.6 异质集成扇出型封装技术

8.2.5 Si基埋入式扇出型封装技术

8.2.4 集成晶圆级扇出型封装技术

8.2.3 嵌入式晶圆级球栅阵列封装技术

8.2.2 晶圆级扇出型封装的技术挑战

8.2.1 晶圆级扇出型封装技术的形成与发展

8.2 晶圆级扇出型封装技术

8.1.5 SoIC技术

8.1.4 Foveros封装技术

8.1.3 CoWoS技术

8.1.2 有源TSV转接板技术

8.1.1 2.5D TSV转接板制造技术

8.1 Si基转接板及2.5D/3D封装技术

第8章 三维封装技术

参考文献

7.4 新型三维集成系统

7.3.3 片上异质集成技术

7.3.2 片上逻辑与存储器件

7.3.1 片上异质材料沉积工艺

7.3 三维单片异质集成技术

7.2.3 三维电路设计与层间布局技术

7.2.2 片上低温CMOS集成与热预算管理技术

7.2.1 片上晶圆键合工艺

7.2 三维单片同质集成技术

7.1.3 三维单片集成的技术挑战

7.1.2 三维单片集成的发展历程

7.1.1 三维单片集成的概念

7.1 三维单片集成

第7章 三维单片集成技术

参考文献

6.4.3 三维DRAM的技术挑战与展望

6.4.2 三维DRAM的发展现状

6.4.1 DRAM的器件结构及工作原理

6.4 三维DRAM集成技术

6.3.3 三维PCRAM的技术挑战与展望

6.3.2 三维PCRAM的发展现状

6.3.1 三维PCRAM的器件结构及工作原理

6.3 三维PCRAM集成技术

6.2.3 三维MRAM的技术挑战与展望

6.2.2 三维MRAM的发展现状

6.2.1 MRAM的器件结构及工作原理

6.2 三维MRAM集成技术

6.1.3 三维RRAM的技术挑战与展望

6.1.2 三维RRAM的发展现状

6.1.1 RRAM的器件结构及工作原理

6.1 三维RRAM集成技术

第6章 三维新型存储技术

参考文献

5.4.2 国内三维NAND存储器的研究现状

5.4.1 国外三维NAND存储器的研究现状

5.4 三维NAND国内外进展

5.3.2 三维NAND可靠性

5.3.1 三维NAND工作特性

5.3 三维NAND工作特性及可靠性

5.2.5 三维NAND集成工艺

5.2.4 接触孔模块

5.2.3 隔离模块

5.2.2 沟道孔模块

5.2.1 层膜沉积和台阶工艺

5.2 集成工艺及关键技术模块

5.1.3 三维NAND闪存结构设计

5.1.2 平面NAND闪存器件发展的挑战

5.1.1 NAND闪存器件原理

5.1 三维NAND闪存器件及结构

第5章 三维NAND闪存技术

参考文献

4.3.5 垂直纳米环栅器件集成工艺

4.3.4 高迁移率沟道纳米环栅器件集成工艺

4.3.3 多阈值调控

4.3.2 工艺波动影响

4.3.1 水平堆叠纳米环栅器件集成工艺

4.3 纳米环栅器件集成工艺

4.2.6 自对准栅极技术

4.2.5 源漏接触技术

4.2.4 沟道应变技术

4.2.3 沟道释放技术

4.2.2 内侧墙技术

4.2.1 多周期叠层外延技术

4.2 纳米环栅器件关键技术模块

4.1.2 其他纳米环栅器件

4.1.1 水平堆叠纳米环栅器件

4.1 纳米环栅器件

第4章 纳米环栅器件技术

参考文献

3.4.2 S-FinFET器件

3.4.1 体硅介质隔离FinFET器件

3.4 新型FinFET器件

3.3.2 特性优化技术

3.3.1 工艺集成与器件特性

3.3 集成工艺与特性优化

3.2.6 低阻接触技术

3.2.5 三维高κ金属栅技术

3.2.4 外延与沟道应变工程

3.2.3 三维栅极与侧墙结构

3.2.2 浅槽隔离

3.2.1 体硅Fin制备工艺

3.2 三维FinFET关键技术模块

3.1.2 结构设计与工艺仿真

3.1.1 器件原理

3.1 三维FinFET器件

第3章 三维FinFET器件技术

参考文献

2.7.3 化学机械平坦化工艺在三维器件集成中面临的挑战

2.7.2 化学机械平坦化工艺在三维器件集成中的应用

2.7.1 化学机械平坦化工艺原理

2.7 三维器件化学机械平坦化工艺

2.6.3 清洗工艺在三维器件集成中面临的挑战

2.6.2 清洗工艺在三维器件集成中的应用

2.6.1 清洗及湿法刻蚀工艺原理

2.6 三维器件清洗工艺

2.5.3 离子注入与热退火工艺在三维器件集成中面临的挑战

2.5.2 离子注入与热退火工艺在三维器件集成中的应用

2.5.1 离子注入与热退火原理

2.5 三维器件离子注入与热退火工艺

2.4.3 刻蚀工艺在三维器件集成中面临的挑战

2.4.2 刻蚀工艺在三维器件集成中的应用

2.4.1 刻蚀工艺原理

2.4 三维器件刻蚀工艺

2.3.3 薄膜工艺在三维器件集成中面临的挑战

2.3.2 薄膜工艺在三维器件集成中的应用

2.3.1 薄膜工艺种类及原理

2.3 三维器件薄膜工艺

2.2.3 光刻工艺在三维器件集成中面临的挑战

2.2.2 先进光刻工艺在三维器件集成中的应用

2.2.1 光刻工艺原理

2.2 三维器件光刻工艺

2.1 三维器件模型

第2章 三维集成电路制造基础

参考文献

1.4 阅读指引

1.3 三维集成技术面临的挑战

1.2.4 三维封装技术

1.2.3 新型三维存储器件

1.2.2 新型三维逻辑器件

1.2.1 先进制造技术

1.2 三维集成技术发展趋势

1.1.4 技术代演化

1.1.3 摩尔定律和PPAC

1.1.2 集成电路

1.1.1 晶体管的发明

1.1 集成电路发展历程

第1章 绪论

作者简介

前言

“集成电路系列丛书”主编序言

“集成电路系列丛书·集成电路制造”编委会

出版委员会

编委会秘书处

“集成电路系列丛书”编委会

内容简介

版权信息

封面

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内容简介

“集成电路系列丛书”编委会

编委会秘书处

出版委员会

“集成电路系列丛书·集成电路制造”编委会

“集成电路系列丛书”主编序言

前言

作者简介

第1章 绪论

1.1 集成电路发展历程

1.1.1 晶体管的发明

1.1.2 集成电路

1.1.3 摩尔定律和PPAC

1.1.4 技术代演化

1.2 三维集成技术发展趋势

1.2.1 先进制造技术

1.2.2 新型三维逻辑器件

1.2.3 新型三维存储器件

1.2.4 三维封装技术

1.3 三维集成技术面临的挑战

1.4 阅读指引

参考文献

第2章 三维集成电路制造基础

2.1 三维器件模型

2.2 三维器件光刻工艺

2.2.1 光刻工艺原理

2.2.2 先进光刻工艺在三维器件集成中的应用

2.2.3 光刻工艺在三维器件集成中面临的挑战

2.3 三维器件薄膜工艺

2.3.1 薄膜工艺种类及原理

2.3.2 薄膜工艺在三维器件集成中的应用

2.3.3 薄膜工艺在三维器件集成中面临的挑战

2.4 三维器件刻蚀工艺

2.4.1 刻蚀工艺原理

2.4.2 刻蚀工艺在三维器件集成中的应用

2.4.3 刻蚀工艺在三维器件集成中面临的挑战

2.5 三维器件离子注入与热退火工艺

2.5.1 离子注入与热退火原理

2.5.2 离子注入与热退火工艺在三维器件集成中的应用

2.5.3 离子注入与热退火工艺在三维器件集成中面临的挑战

2.6 三维器件清洗工艺

2.6.1 清洗及湿法刻蚀工艺原理

2.6.2 清洗工艺在三维器件集成中的应用

2.6.3 清洗工艺在三维器件集成中面临的挑战

2.7 三维器件化学机械平坦化工艺

2.7.1 化学机械平坦化工艺原理

2.7.2 化学机械平坦化工艺在三维器件集成中的应用

2.7.3 化学机械平坦化工艺在三维器件集成中面临的挑战

参考文献

第3章 三维FinFET器件技术

3.1 三维FinFET器件

3.1.1 器件原理

3.1.2 结构设计与工艺仿真

3.2 三维FinFET关键技术模块

3.2.1 体硅Fin制备工艺

3.2.2 浅槽隔离

3.2.3 三维栅极与侧墙结构

3.2.4 外延与沟道应变工程

3.2.5 三维高κ金属栅技术

3.2.6 低阻接触技术

3.3 集成工艺与特性优化

3.3.1 工艺集成与器件特性

3.3.2 特性优化技术

3.4 新型FinFET器件

3.4.1 体硅介质隔离FinFET器件

3.4.2 S-FinFET器件

参考文献

第4章 纳米环栅器件技术

4.1 纳米环栅器件

4.1.1 水平堆叠纳米环栅器件

4.1.2 其他纳米环栅器件

4.2 纳米环栅器件关键技术模块

4.2.1 多周期叠层外延技术

4.2.2 内侧墙技术

4.2.3 沟道释放技术

4.2.4 沟道应变技术

4.2.5 源漏接触技术

4.2.6 自对准栅极技术

4.3 纳米环栅器件集成工艺

4.3.1 水平堆叠纳米环栅器件集成工艺

4.3.2 工艺波动影响

4.3.3 多阈值调控

4.3.4 高迁移率沟道纳米环栅器件集成工艺

4.3.5 垂直纳米环栅器件集成工艺

参考文献

第5章 三维NAND闪存技术

5.1 三维NAND闪存器件及结构

5.1.1 NAND闪存器件原理

5.1.2 平面NAND闪存器件发展的挑战

5.1.3 三维NAND闪存结构设计

5.2 集成工艺及关键技术模块

5.2.1 层膜沉积和台阶工艺

5.2.2 沟道孔模块

5.2.3 隔离模块

5.2.4 接触孔模块

5.2.5 三维NAND集成工艺

5.3 三维NAND工作特性及可靠性

5.3.1 三维NAND工作特性

5.3.2 三维NAND可靠性

5.4 三维NAND国内外进展

5.4.1 国外三维NAND存储器的研究现状

5.4.2 国内三维NAND存储器的研究现状

参考文献

第6章 三维新型存储技术

6.1 三维RRAM集成技术

6.1.1 RRAM的器件结构及工作原理

6.1.2 三维RRAM的发展现状

6.1.3 三维RRAM的技术挑战与展望

6.2 三维MRAM集成技术

6.2.1 MRAM的器件结构及工作原理

6.2.2 三维MRAM的发展现状

6.2.3 三维MRAM的技术挑战与展望

6.3 三维PCRAM集成技术

6.3.1 三维PCRAM的器件结构及工作原理

6.3.2 三维PCRAM的发展现状

6.3.3 三维PCRAM的技术挑战与展望

6.4 三维DRAM集成技术

6.4.1 DRAM的器件结构及工作原理

6.4.2 三维DRAM的发展现状

6.4.3 三维DRAM的技术挑战与展望

参考文献

第7章 三维单片集成技术

7.1 三维单片集成

7.1.1 三维单片集成的概念

7.1.2 三维单片集成的发展历程

7.1.3 三维单片集成的技术挑战

7.2 三维单片同质集成技术

7.2.1 片上晶圆键合工艺

7.2.2 片上低温CMOS集成与热预算管理技术

7.2.3 三维电路设计与层间布局技术

7.3 三维单片异质集成技术

7.3.1 片上异质材料沉积工艺

7.3.2 片上逻辑与存储器件

7.3.3 片上异质集成技术

7.4 新型三维集成系统

参考文献

第8章 三维封装技术

8.1 Si基转接板及2.5D/3D封装技术

8.1.1 2.5D TSV转接板制造技术

8.1.2 有源TSV转接板技术

8.1.3 CoWoS技术

8.1.4 Foveros封装技术

8.1.5 SoIC技术

8.2 晶圆级扇出型封装技术

8.2.1 晶圆级扇出型封装技术的形成与发展

8.2.2 晶圆级扇出型封装的技术挑战

8.2.3 嵌入式晶圆级球栅阵列封装技术

8.2.4 集成晶圆级扇出型封装技术

8.2.5 Si基埋入式扇出型封装技术

8.2.6 异质集成扇出型封装技术

8.3 基板及埋入封装技术

8.3.1 细线路基板技术

8.3.2 基板埋入技术

8.3.3 基板扇出技术